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  • Metal etchant & Polishing Agents

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주요 제품

제품 소개

Application

Polishing Chemical for INVAR (for FMM) 외

스텐인레스 계열의 인바 시트에 대한  화학 연마를 목적으로 사용하며, Ra = 0.2 𝞵m 이하의 균일한 조도 구현이 가능함.  활성화, 산화 피막 제거가 가능하며, Press Burr, Scratching 제거가 가능함.

Fe-Ni-Cr계 electroplating, PCB

Poly silicon parts(for Electrode) Etching & Cleaning chemical

반도체 CVD 장비용 poly silicon parts 의 etching목적으로 사용하며, 균일한 조도 및 백점 발생이 없음. Silicon parts 제조 시 sawing, lapping 공정 후 표면에 잔류하는 유기 성분, 유기성 이물 등을 제거함.

반도체, 디스플레이용 CVD 장치(CVD, Dry etch)

Ni-Cr Etchant

MEMS, Probe Card용 Tip 제작 시 Seed Layer(Ni-Cr)  Etching(식각 제거) 목적으로 사용되며, 염산계 약품임.

반도체, MEMS, Probe-card

Copper & Titanium Etchant for seed layer of RDL, BUMP process

RDL, BUMP 공정 중 사용되는 Sputtered Seed Layer(Copper, Titanium)를 제거하는 목적으로 사용되며, (과산화수소계 Cu etchant,  (K, Na)OH 알칼리계 Ti etchant를 제조 공급함.

SEMI, BUMP,TSP, RDL Chip sensor 등

주요 제품

제품 소개

Application

Polishing Chemical for INVAR (for FMM) 외

스텐인레스 계열의 인바 시트에 대한  화학 연마를 목적으로 사용하며, Ra = 0.2 𝞵m 이하의 균일한 조도 구현이 가능함.  활성화, 산화 피막 제거가 가능하며, Press Burr, Scratching 제거가 가능함.

Fe-Ni-Cr계 electroplating, PCB

Poly silicon parts(for Electrode) Etching & Cleaning chemical

반도체 CVD 장비용 poly silicon parts 의 etching목적으로 사용하며, 균일한 조도 및 백점 발생이 없음. Silicon parts 제조 시 sawing, lapping 공정 후 표면에 잔류하는 유기 성분, 유기성 이물 등을 제거함.

반도체, 디스플레이용 CVD 장치(CVD, Dry etch)

Ni-Cr Etchant

MEMS, Probe Card용 Tip 제작 시 Seed Layer(Ni-Cr)  Etching(식각 제거) 목적으로 사용되며, 염산계 약품임.

반도체, MEMS, Probe-card

Copper & Titanium Etchant for seed layer of RDL, BUMP process

RDL, BUMP 공정 중 사용되는 Sputtered Seed Layer(Copper, Titanium)를 제거하는 목적으로 사용되며, (과산화수소계 Cu etchant,  (K, Na)OH 알칼리계 Ti etchant를 제조 공급함.

SEMI, BUMP,TSP, RDL Chip sensor 등

 

  • Metal etchant & Polishing Agents details

적용 공정

제품명

제품 소개

SEMICON/

Bump

Cu Etchant

 – CCE Series

   (2,500Å~8,500Å/min)

・비과산화수소계, 과산화수소계

・고순도, 고품질 Sputtered Copper Film Etching

・Solder 부식이 없고 Single 방식 적용 가능

Ti/TiW Etchant

 – CTE Series

   (300Å~500Å/min)

・알칼리성(Potassium Hydroxide base)

・과산화수소 첨가 사용

・Cu, Al, Solder(Sn-Ag 등) 의 Damage Free, Ti 선택비 우수

Display

&

MEMS

Ni-Cr Etchant

 – CANCE series

・ 산성(Acid base)

・ 질산 or 과산화수소 첨가 사용

Cu Etchant

 – CINCE series

 – CITCE series

・ 산성(Acid base)

・ 비과수 or 과산화수소 첨가 사용

Metal Polisher

비/과수계

 – CPA series

・ Cu, SUS 화학 연마, 활성화, 산화 피막 제거(Fe-Ni-Cr계 등)

불화물계

 – ACE series

・ Melpolish/MelDip – Press Burr, Scratching

적용 공정

제품명

제품 소개

SEMICON/

Bump

Cu Etchant

 – CCE Series

   (2,500Å~8,500Å/min)

・비과산화수소계, 과산화수소계

・고순도, 고품질 Sputtered Copper Film Etching

・Solder 부식이 없고 Single 방식 적용 가능

Ti/TiW Etchant

 – CTE Series

   (300Å~500Å/min)

・알칼리성(Potassium Hydroxide base)

・과산화수소 첨가 사용

・Cu, Al, Solder(Sn-Ag 등) 의 Damage Free, Ti 선택비 우수

Display

&

MEMS

Ni-Cr Etchant

 – CANCE series

・ 산성(Acid base)

・ 질산 or 과산화수소 첨가 사용

Cu Etchant

 – CINCE series

 – CITCE series

・ 산성(Acid base)

・ 비과수 or 과산화수소 첨가 사용

Metal Polisher

비/과수계

 – CPA series

・ Cu, SUS 화학 연마, 활성화, 산화 피막 제거(Fe-Ni-Cr계 등)

불화물계

 – ACE series

・ Melpolish/MelDip – Press Burr, Scratching