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HOME > 제품소개 > Metal Etchant & Chemical Polishing Agents
주요 제품 |
제품 소개 |
Application |
Polishing Chemical for INVAR (for FMM) 외 |
스텐인레스 계열의 인바 시트에 대한 화학 연마를 목적으로 사용하며, Ra = 0.2 𝞵m 이하의 균일한 조도 구현이 가능함. 활성화, 산화 피막 제거가 가능하며, Press Burr, Scratching 제거가 가능함. |
Fe-Ni-Cr계 electroplating, PCB |
Poly silicon parts(for Electrode) Etching & Cleaning chemical |
반도체 CVD 장비용 poly silicon parts 의 etching목적으로 사용하며, 균일한 조도 및 백점 발생이 없음. Silicon parts 제조 시 sawing, lapping 공정 후 표면에 잔류하는 유기 성분, 유기성 이물 등을 제거함. |
반도체, 디스플레이용 CVD 장치(CVD, Dry etch) |
Ni-Cr Etchant |
MEMS, Probe Card용 Tip 제작 시 Seed Layer(Ni-Cr) Etching(식각 제거) 목적으로 사용되며, 염산계 약품임. |
반도체, MEMS, Probe-card |
Copper & Titanium Etchant for seed layer of RDL, BUMP process |
RDL, BUMP 공정 중 사용되는 Sputtered Seed Layer(Copper, Titanium)를 제거하는 목적으로 사용되며, (과산화수소계 Cu etchant, (K, Na)OH 알칼리계 Ti etchant를 제조 공급함. |
SEMI, BUMP,TSP, RDL Chip sensor 등 |
주요 제품 |
제품 소개 |
Application |
Polishing Chemical for INVAR (for FMM) 외 |
스텐인레스 계열의 인바 시트에 대한 화학 연마를 목적으로 사용하며, Ra = 0.2 𝞵m 이하의 균일한 조도 구현이 가능함. 활성화, 산화 피막 제거가 가능하며, Press Burr, Scratching 제거가 가능함. |
Fe-Ni-Cr계 electroplating, PCB |
Poly silicon parts(for Electrode) Etching & Cleaning chemical |
반도체 CVD 장비용 poly silicon parts 의 etching목적으로 사용하며, 균일한 조도 및 백점 발생이 없음. Silicon parts 제조 시 sawing, lapping 공정 후 표면에 잔류하는 유기 성분, 유기성 이물 등을 제거함. |
반도체, 디스플레이용 CVD 장치(CVD, Dry etch) |
Ni-Cr Etchant |
MEMS, Probe Card용 Tip 제작 시 Seed Layer(Ni-Cr) Etching(식각 제거) 목적으로 사용되며, 염산계 약품임. |
반도체, MEMS, Probe-card |
Copper & Titanium Etchant for seed layer of RDL, BUMP process |
RDL, BUMP 공정 중 사용되는 Sputtered Seed Layer(Copper, Titanium)를 제거하는 목적으로 사용되며, (과산화수소계 Cu etchant, (K, Na)OH 알칼리계 Ti etchant를 제조 공급함. |
SEMI, BUMP,TSP, RDL Chip sensor 등 |
적용 공정 |
제품명 |
제품 소개 |
SEMICON/ Bump |
Cu Etchant – CCE Series (2,500Å~8,500Å/min) |
・비과산화수소계, 과산화수소계 ・고순도, 고품질 Sputtered Copper Film Etching ・Solder 부식이 없고 Single 방식 적용 가능 |
Ti/TiW Etchant – CTE Series (300Å~500Å/min) |
・알칼리성(Potassium Hydroxide base) ・과산화수소 첨가 사용 ・Cu, Al, Solder(Sn-Ag 등) 의 Damage Free, Ti 선택비 우수 |
|
Display & MEMS |
Ni-Cr Etchant – CANCE series |
・ 산성(Acid base) ・ 질산 or 과산화수소 첨가 사용 |
Cu Etchant – CINCE series – CITCE series |
・ 산성(Acid base) ・ 비과수 or 과산화수소 첨가 사용 |
|
Metal Polisher |
비/과수계 – CPA series |
・ Cu, SUS 화학 연마, 활성화, 산화 피막 제거(Fe-Ni-Cr계 등) |
불화물계 – ACE series |
・ Melpolish/MelDip – Press Burr, Scratching |
적용 공정 |
제품명 |
제품 소개 |
SEMICON/ Bump |
Cu Etchant – CCE Series (2,500Å~8,500Å/min) |
・비과산화수소계, 과산화수소계 ・고순도, 고품질 Sputtered Copper Film Etching ・Solder 부식이 없고 Single 방식 적용 가능 |
Ti/TiW Etchant – CTE Series (300Å~500Å/min) |
・알칼리성(Potassium Hydroxide base) ・과산화수소 첨가 사용 ・Cu, Al, Solder(Sn-Ag 등) 의 Damage Free, Ti 선택비 우수 |
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Display & MEMS |
Ni-Cr Etchant – CANCE series |
・ 산성(Acid base) ・ 질산 or 과산화수소 첨가 사용 |
Cu Etchant – CINCE series – CITCE series |
・ 산성(Acid base) ・ 비과수 or 과산화수소 첨가 사용 |
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Metal Polisher |
비/과수계 – CPA series |
・ Cu, SUS 화학 연마, 활성화, 산화 피막 제거(Fe-Ni-Cr계 등) |
불화물계 – ACE series |
・ Melpolish/MelDip – Press Burr, Scratching |